GN027031P55 Диод на основе нитрида галлия GaN HEMT Чипы для радиосигналов

						GaN HEMT GN027031P55
Серия GN027031P55 усилитель мощности на GaN с внутренней согласованностью
Характеристики:
Покрытие рабочего диапазона частот: 2,7 - 3,1 ГГц Хорошая согласованность импеданса 50Ω, легко каскадно соединять Металлокерамическая герметичная упаковка в трубчатой форме Упаковка на фланце с креплением винтами или герметичная упаковка в таблеточной форме сваркой
Введение в продукт:
Таблица электрических характеристик:
Условия работы: 50Ω тестовая система, TA = +25℃, VDS = +50V, IDS = 70 мА, ширина импульса: 100 мкс, коэффициент заполнения 10%.
Параметр	Условия испытаний			Минимальное значение		Типичное значение	Максимальное значение		Единица измерения
Мощность насыщения	Частота = 2.7 ГГц ~ 3.1 ГГц VGS = -3.0 ~ -4.0 В VDS = +50 В IDsq = 70 мА			55.2		-	-		дБм
Коэффициент усиления мощности				-		12.4	-		дБ
Добавочная эффективность мощности				54.5		-	-		%
Плоскостность мощности				-		-	0.7		дБ
Напряжение отсечки	VDS = 6 В		IDS ≤ 100 мА	-8		-	-4		В
Обратный ток затвора-истока	VDS = 0 В		VGS = -10 В	-		-	5		uA
Примечание: Финальные технические показатели и размеры определяются техническим соглашением. Могут быть заказаны продукты с аналогичными характеристиками мощности, но с более высокой эффективностью и более широкой полосой пропускания.
Параметры предельных условий работы:
Напряжение истока-стока Vds		+120В			Рассеиваемая мощность (Tc=25℃)			239Вт
Напряжение затвора-истока Vgs		-10В			Температура хранения			-55℃~+125℃
Температура эксплуатации		-40℃~+75℃			-			-

ГАРАНТИЯ ПОСЛЕПРОДАЖНОГО ОБСЛУЖИВАНИЯ

1. Каждый продукт YINGDA имеет гарантийный срок 365 дней. В течение этого периода мы предоставляем бесплатное техническое обслуживание в случае проблем с нашими продуктами.

2. Если после получения наших товаров вы обнаружите проблемы с качеством, можете провести тестирование и, если это будет доказано, заявить на безусловный возврат денег.

3. Если товары имеют дефекты или не работают, вы можете вернуть их нам в течение 1 года. Все транспортные и таможенные расходы на товары мы берем на себя.

Yingda - ведущий и заслуживающий доверия поставщик всех электронных компонентов, таких как интегральные схемы, разъемы, транзисторы, диоды, конденсаторы, МОП-транзисторы, силовые провода, адаптеры и все виды автомобильных, медицинских, сельскохозяйственных, компонентов для бытовой электроники. Мы предоставляем все существующие электронные компоненты. Yingda всегда была компанией, ориентированной на клиентов и качеству, и мы имеем более 10-летний опыт в этой области. Вы можете полностью доверять нам, поскольку у нас хорошая репутация, и мы всегда честны и искренни перед своими клиентами на 100%.

MADE-IN-CHINA альтернативный поставщик решений для брендовых силовых ламп (внутреннее согласование, внешнее согласование), усилительных чипов, усилительных модулей и т.д.

Основные продукты: усилители, аттенюаторы, детекторы, диоды, направленные ответвители, передовые модули, гибридные микросхемы, инфраструктурные подсистемы, смесители, демодуляторы, фазовращатели, синтезаторы и т.д.

?

1.?Микроволновые радиосигнальные устройства MADE-IN-CHINA ЧПУ-фазовращатели

2.?HВысокочастотные лампы, Замена на месте: MA-COM, Motorola, lucy(at)yingdainter(dot)com;?lucyzhang(at)yingdainter(dot)com;

?

1.8~3.8G

6W

DFN4540

Диод на основе нитрида галлия GaN HEMT

1.8~3.8G

15W

DFN4540

Диод на основе нитрида галлия GaN HEMT

0.5-4G

30W

JY04f050

Диод на основе нитрида галлия GaN HEMT

0.5~6G

30W

DFN3040

Диод на основе нитрида галлия GaN HEMT

2.6G

16+32

DFN7065

Диод на основе нитрида галлия GaN HEMT

3.5G

16+32

DFN7065

Диод на основе нитрида галлия GaN HEMT

2.6G

32+64

DFN70100

Диод на основе нитрида галлия GaN HEMT

3.5G

32+64

DNF70100

Диод на основе нитрида галлия GaN HEMT

5.8G

50Вт

360

Диод на основе нитрида галлия GaN HEMT

5.8G

100Вт

360